前言：前年興起的氮化鎵充電產(chǎn)品，到今年已經(jīng)變成紅海了。相比其他廠商在紅海里面打得水深火熱，某些廠商已開啟另一條賽道。專門為60W以下輸出功率的充電頭打造了Super Si超級(jí)硅快充充電器，那么超級(jí)硅快充充電器到底有哪些優(yōu)勢和不足呢？

由于這兩年很多廠商對(duì)于氮化鎵的大力宣傳，目前消費(fèi)者對(duì)于氮化鎵接受程度較高。其實(shí)，氮化鎵出現(xiàn)的原因主要是因?yàn)椋翰捎脗鹘y(tǒng)硅基芯片的充電器，由于轉(zhuǎn)化效率不高，發(fā)熱量大。在以前那個(gè)充電器功率普遍為5V 1A的時(shí)代，這個(gè)缺點(diǎn)并不明顯。但現(xiàn)如今各類的設(shè)備動(dòng)輒30W、60W的功率，甚至已經(jīng)有手機(jī)的充電功率達(dá)到了120W，要實(shí)現(xiàn)如此大功率的輸出，傳統(tǒng)的硅基芯片不得不將體積和質(zhì)量做大。但一個(gè)充電頭又大又重，消費(fèi)者就接受不了了。為了解決攜帶問題，就出現(xiàn)了氮化鎵。

和解數(shù)學(xué)題一樣，正確答案只有一個(gè)，但解題的方法不止一個(gè)。除了氮化鎵，其實(shí)優(yōu)化過后的硅基半導(dǎo)體材料一樣可以解決，比如采用超級(jí)硅材料的充電頭。超級(jí)硅材料能把超級(jí)硅MOSFET開關(guān)性能推向極致，達(dá)到1MHz以上的開關(guān)頻率，和氮化鎵器件處于同一數(shù)量級(jí)。在動(dòng)態(tài)電阻、熱阻、可靠性等方面甚至優(yōu)于氮化鎵。

最重要的是超級(jí)硅系列采用成熟的硅基材料，與氮化鎵GaN特殊的材料和生產(chǎn)工藝相比，超級(jí)硅快充具有巨大的成本優(yōu)勢。器件成本大概為同等規(guī)格氮化鎵GaN器件25-50%，同時(shí)驅(qū)動(dòng)超級(jí)硅功率器件的控制芯片可選擇性廣泛，更避免了GaN復(fù)雜的設(shè)計(jì)導(dǎo)致額外系統(tǒng)成本的增加。

當(dāng)然氮化鎵GaN在更高功率65W、90W甚至更高的120W的表現(xiàn)比超級(jí)硅優(yōu)勢明顯。但對(duì)于60W以下的中低功率電子設(shè)備超級(jí)硅擁有同樣的電氣表現(xiàn)，價(jià)格更親民。相較于隨便超過100元售價(jià)的氮化鎵產(chǎn)品，超級(jí)硅快充的價(jià)格更低，超級(jí)硅快充充電器的性價(jià)比就顯現(xiàn)出來了。

總結(jié)：超級(jí)硅定位于中等功率的快充，相較于同功率下氮化鎵芯片以及傳統(tǒng)硅基充電芯片，其在各方面都有更大的優(yōu)勢，但局限于60W以下，功率小的充電器沒有必要，功率大的充電器氮化鎵更有優(yōu)勢，是中等功率充電器最佳性價(jià)比選擇。